← Toutes les offres
Fraunhofer-Gesellschaft

Promotion im Bereich Zuverlässigkeit von GaN-Transistoren

Fraunhofer-Gesellschaft

Freiburg
Organization
Publié le 11 novembre 2026

Description du poste

Die Fraunhofer-Gesellschaft ist eine der weltweit führenden Organisationen für anwendungsorientierte Forschung. 74 Institute entwickeln wegweisende Technologien für unsere Wirtschaft und Gesellschaft – genauer: 30 000 Menschen aus Technik, Wissenschaft, Verwaltung und IT. Sie wissen: Wer zu Fraunhofer kommt, will und kann etwas verändern. Für sich, für uns und die Märkte von heute und morgen. **INNOVATIONEN AUS EINER HAND** VERÄNDERUNG STARTET MIT UNS Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenz-Schaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren, oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von Morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft. Wie lassen sich GaN-basierte Transistoren für Hochfrequenzanwendungen zuverlässiger machen? In Ihrer Promotion gehen Sie dieser Frage auf den Grund: Sie untersuchen Degradationsmechanismen und entwickeln Ansätze, um die Bauelemente gezielt zu verbessern. Dabei arbeiten Sie eng mit Kolleginnen und Kollegen aus Technologie, Epitaxie und Messtechnik zusammen. **Hier sorgen Sie für Veränderung** * Sie führen Zuverlässigkeitsuntersuchungen durch, analysieren degradierte Bauelemente und tragen aktiv zur Identifizierung physikalischer n Fehler-Mechanismen bei. * Mithilfe von Simulationen optimieren Sie die Bauelemente und entwickeln sie gezielt weiter. * Sie entwickeln robuste Methoden zur elektrischen Charakterisierung und zur Bewertung der Zuverlässigkeit. * Die Planung, Durchführung und Prozessbegleitung von Technologieexperimenten zur Herstellung von GaN HEMTs mit verbesserter Zuverlässigkeit ist ebenfalls Teil Ihres Aufgabengebiets. **Hiermit bringen Sie sich ein** * Ein abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master) in Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik, Physik oder einer vergleichbaren Fachrichtung sowie idealerweise Kenntnisse der Festkörper- und Halbleiterphysik * Freude an experimenteller Forschung, Interesse an Analyse und Simulation sowie erste Erfahrungen in Programmierung und Datenanalyse * Eine selbstständige, strukturierte und wissenschaftliche Arbeitsweise, die Fähigkeit, sich schnell in neue Fragestellungen einzuarbeiten, sowie Team- und Kommunikationsfähigkeit * Sehr gute Deutsch- und gute Englischkenntnisse für die Zusammenarbeit im internationalen Umfeld **Was wir für Sie bereithalten** * Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette * Unterstützung bei ihrer Promotion durch Expert\*innen vor Ort * Möglichkeit zur Spezialisierung und zum interdisziplinären Arbeiten durch breit gefächerte